Welcome to ichome.com!

logo
Дом

DMTH6016LFVWQ-13-A

DMTH6016LFVWQ-13-A

DMTH6016LFVWQ-13-A

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

DMTH6016LFVWQ-13-A Техническая спецификация

compliant

DMTH6016LFVWQ-13-A Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.35600 $0.356
500 $0.35244 $176.22
1000 $0.34888 $348.88
1500 $0.34532 $517.98
2000 $0.34176 $683.52
2500 $0.3382 $845.5
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 41A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 16mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 15.1 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 939 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 1.17W (Ta)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount, Wettable Flank
пакет устройства поставщика PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

DMT10H009LFG-13
DMT10H009LFG-13
$0 $/кусок
SIL03N10A-TP
SIL03N10A-TP
$0 $/кусок
IXTQ32P20T
IXTQ32P20T
$0 $/кусок
R6576ENZ4C13
R6576ENZ4C13
$0 $/кусок
TK110Z65Z,S1F
GP2T080A120H
GP2T080A120H
$0 $/кусок
IRF150DM115XTMA1
MCB145N06Y-TP
MCB145N06Y-TP
$0 $/кусок
R6007ENXC7G
R6007ENXC7G
$0 $/кусок
AON2392

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.