Welcome to ichome.com!

logo
Дом

G3R30MT12J

G3R30MT12J

G3R30MT12J

GeneSiC Semiconductor

SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7

G3R30MT12J Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

G3R30MT12J Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $24.20000 $24.2
500 $23.958 $11979
1000 $23.716 $23716
1500 $23.474 $35211
2000 $23.232 $46464
2500 $22.99 $57475
917 items

G3R30MT12J Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток (vdss) 1200 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 96A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 15V
rds на (макс) @ id, vgs 36mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (макс) @ id 2.69V @ 12mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 155 nC @ 15 V
вгс (макс) ±15V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3901 pF @ 800 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 459W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика TO-263-7
упаковка / кейс TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Q1: What is the purchase guide for G3R30MT12J?
G3R30MT12J of GeneSiC Semiconductor is a SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7. ICHOME is a long-term spot supplier of G3R30MT12J, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of G3R30MT12J?
Download G3R30MT12J Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingG3R30MT12J from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide G3R30MT12J alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you G3R30MT12J replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

DMTH10H015SK3Q-13
IRFP260NPBF
IRFP260NPBF
$0 $/кусок
IRFI614GPBF
IRFI614GPBF
$0 $/кусок
NTE2387
NTE2387
$0 $/кусок
BTS113AE3064NKSA1
NVR5124PLT1G
NVR5124PLT1G
$0 $/кусок
UPA2717AGR-E1-AT
IPT059N15N3ATMA1
GKI03026
GKI03026
$0 $/кусок
SIS454DN-T1-GE3
SIS454DN-T1-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.