Welcome to ichome.com!

logo
Дом

BSB012N03LX3 G

BSB012N03LX3 G

BSB012N03LX3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON

BSB012N03LX3 G Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

BSB012N03LX3 G Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.

BSB012N03LX3 G Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

BSB012N03LX3 G Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Obsolete
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 39A (Ta), 180A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 169 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 16900 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика MG-WDSON-2, CanPAK M™
упаковка / кейс 3-WDSON
Q1: What is the purchase guide for BSB012N03LX3 G?
BSB012N03LX3 G of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON. ICHOME is a long-term spot supplier of BSB012N03LX3 G, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of BSB012N03LX3 G?
Download BSB012N03LX3 G Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingBSB012N03LX3 G from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide BSB012N03LX3 G alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you BSB012N03LX3 G replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IRF1010ZLPBF
IRF1010ZLPBF
$0 $/кусок
IRFIBE20G
IRFIBE20G
$0 $/кусок
IRFU9120N
IRFU9120N
$0 $/кусок
SI7156DP-T1-GE3
SI7156DP-T1-GE3
$0 $/кусок
PSMN070-200P,127-NXP
PSMN070-200P,127-NXP
$0 $/кусок
STD65NF06
STD65NF06
$0 $/кусок
SPB21N10
SPB21N10
$0 $/кусок
IRLR8503TRL
IRLR8503TRL
$0 $/кусок
SPP80N04S2-H4
SPP80N04S2-H4
$0 $/кусок
IRF7526D1
IRF7526D1
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.