Welcome to ichome.com!

logo
Дом

BSZ067N06LS3GATMA1

BSZ067N06LS3GATMA1

BSZ067N06LS3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON

BSZ067N06LS3GATMA1 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

BSZ067N06LS3GATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
5,000 $0.51483 -
10,000 $0.49548 -
Inventory changes frequently.

BSZ067N06LS3GATMA1 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

BSZ067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 14A (Ta), 20A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 6.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.2V @ 35µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 67 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 5100 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TSDSON-8
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Q1: What is the purchase guide for BSZ067N06LS3GATMA1?
BSZ067N06LS3GATMA1 of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON. ICHOME is a long-term spot supplier of BSZ067N06LS3GATMA1, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of BSZ067N06LS3GATMA1?
Download BSZ067N06LS3GATMA1 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingBSZ067N06LS3GATMA1 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide BSZ067N06LS3GATMA1 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you BSZ067N06LS3GATMA1 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STD5N80K5
STD5N80K5
$0 $/кусок
NVMFS5C468NWFT1G
NVMFS5C468NWFT1G
$0 $/кусок
TPH1R306P1,L1Q
IRF820STRLPBF
IRF820STRLPBF
$0 $/кусок
IPD50R500CE
IPD50R500CE
$0 $/кусок
NTMTS0D6N04CTXG
NTMTS0D6N04CTXG
$0 $/кусок
RJK5014DPP-00#T2
BUK963R3-60E,118
BUK963R3-60E,118
$0 $/кусок
BUK7623-75A,118
BUK7623-75A,118
$0 $/кусок
CSD17483F4T
CSD17483F4T
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.