Welcome to ichome.com!

logo
Дом

BSZ100N06LS3GATMA1

BSZ100N06LS3GATMA1

BSZ100N06LS3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

BSZ100N06LS3GATMA1 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

BSZ100N06LS3GATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
5,000 $0.40247 -
10,000 $0.38734 -
25,000 $0.38514 -
Inventory changes frequently.

BSZ100N06LS3GATMA1 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 11A (Ta), 20A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.2V @ 23µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 45 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3500 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta), 50W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TSDSON-8
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Q1: What is the purchase guide for BSZ100N06LS3GATMA1?
BSZ100N06LS3GATMA1 of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON. ICHOME is a long-term spot supplier of BSZ100N06LS3GATMA1, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of BSZ100N06LS3GATMA1?
Download BSZ100N06LS3GATMA1 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingBSZ100N06LS3GATMA1 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide BSZ100N06LS3GATMA1 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you BSZ100N06LS3GATMA1 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

NTP75N03RG
NTP75N03RG
$0 $/кусок
BSC320N20NS3GATMA1
APT6030BVRG
APT6030BVRG
$0 $/кусок
IXFT20N100P
IXFT20N100P
$0 $/кусок
IXTH16P60P
IXTH16P60P
$0 $/кусок
IRFSL7730PBF
IRFSL7730PBF
$0 $/кусок
IPA60R120P7XKSA1
IRFR9220TRLPBF
IRFR9220TRLPBF
$0 $/кусок
STP9NK50Z
STP9NK50Z
$0 $/кусок
DMN3009SK3-13
DMN3009SK3-13
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.