Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

IPB019N08N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

IPB019N08N3GATMA1 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

IPB019N08N3GATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $3.29945 -
2,000 $3.13448 -
Inventory changes frequently.

IPB019N08N3GATMA1 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 80 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 180A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 6V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 270µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 206 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 14200 pF @ 40 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-7
упаковка / кейс TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Q1: What is the purchase guide for IPB019N08N3GATMA1?
IPB019N08N3GATMA1 of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7. ICHOME is a long-term spot supplier of IPB019N08N3GATMA1, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of IPB019N08N3GATMA1?
Download IPB019N08N3GATMA1 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingIPB019N08N3GATMA1 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide IPB019N08N3GATMA1 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you IPB019N08N3GATMA1 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RJ1U330AAFRGTL
RJ1U330AAFRGTL
$0 $/кусок
IPW60R040CFD7XKSA1
TK290A60Y,S4X
HUF75345P3
HUF75345P3
$0 $/кусок
NDF08N50ZG
NDF08N50ZG
$0 $/кусок
IPD65R660CFD
IPD65R660CFD
$0 $/кусок
MCU80N06-TP
MCU80N06-TP
$0 $/кусок
BUK9505-30A,127
BUK9505-30A,127
$0 $/кусок
BSP100,135
BSP100,135
$0 $/кусок
FQP9N90C
FQP9N90C
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.