Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB12CNE8N G

IPB12CNE8N G

IPB12CNE8N G

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK

IPB12CNE8N G Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

IPB12CNE8N G Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.

IPB12CNE8N G Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

IPB12CNE8N G Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Obsolete
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 85 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 67A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 12.9mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 83µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 64 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 4340 pF @ 40 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-3
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Q1: What is the purchase guide for IPB12CNE8N G?
IPB12CNE8N G of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK. ICHOME is a long-term spot supplier of IPB12CNE8N G, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of IPB12CNE8N G?
Download IPB12CNE8N G Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingIPB12CNE8N G from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide IPB12CNE8N G alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you IPB12CNE8N G replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IXTH48N20
IXTH48N20
$0 $/кусок
CSD16323Q3C
CSD16323Q3C
$0 $/кусок
IPP05CN10L G
IPP05CN10L G
$0 $/кусок
IRLD024
IRLD024
$0 $/кусок
IPI100N08S207AKSA1
IRLR3714ZTRPBF
AON6504_002
IRFS7730-7PPBF
AON6532
AOD3N50_003

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.