Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB65R110CFDAATMA1

IPB65R110CFDAATMA1

IPB65R110CFDAATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK

IPB65R110CFDAATMA1 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

IPB65R110CFDAATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $3.87674 -
2,000 $3.73316 -
Inventory changes frequently.

IPB65R110CFDAATMA1 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

IPB65R110CFDAATMA1 Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 31.2A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4.5V @ 1.3mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 118 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3240 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 277.8W (Tc)
рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-3
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Q1: What is the purchase guide for IPB65R110CFDAATMA1?
IPB65R110CFDAATMA1 of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK. ICHOME is a long-term spot supplier of IPB65R110CFDAATMA1, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of IPB65R110CFDAATMA1?
Download IPB65R110CFDAATMA1 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingIPB65R110CFDAATMA1 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide IPB65R110CFDAATMA1 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you IPB65R110CFDAATMA1 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FQI4N90TU
FQI4N90TU
$0 $/кусок
SI4134DY-T1-GE3
SI4134DY-T1-GE3
$0 $/кусок
STP9NK70ZFP
STP9NK70ZFP
$0 $/кусок
FDB33N25TM
FDB33N25TM
$0 $/кусок
SIHD1K4N60E-GE3
SIHD1K4N60E-GE3
$0 $/кусок
R8002ANJFRGTL
R8002ANJFRGTL
$0 $/кусок
APT19M120J
APT19M120J
$0 $/кусок
FDMS7580
FDMS7580
$0 $/кусок
DMTH6009LK3-13
DMTH6009LK3-13
$0 $/кусок
MSJP20N65-BP
MSJP20N65-BP
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.