Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB80N06S209ATMA1

IPB80N06S209ATMA1

IPB80N06S209ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

IPB80N06S209ATMA1 Техническая спецификация

compliant

IPB80N06S209ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
Call $Call -
2000 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Discontinued at Digi-Key
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 55 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 80A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 8.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 125µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 80 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2360 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 190W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-3-2
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

2SK3378ENTL-E
PJE138K_R1_00001
BSC200P03LSG
BSC200P03LSG
$0 $/кусок
ZXMN3F30FHTA
ZXMN3F30FHTA
$0 $/кусок
PJQ4464AP_R2_00001
UJ4SC075011B7S
UJ4SC075011B7S
$0 $/кусок
PSMN070-200B,118
PSMN070-200B,118
$0 $/кусок
TK7P60W5,RVQ
PJD45N03_L2_00001
SI2307CDS-T1-GE3
SI2307CDS-T1-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.