Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

IPB80N06S209ATMA2 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

IPB80N06S209ATMA2 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $0.84376 -
Inventory changes frequently.

IPB80N06S209ATMA2 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

IPB80N06S209ATMA2 Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 55 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 80A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 8.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 125µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 80 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2360 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 190W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-3-2
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Q1: What is the purchase guide for IPB80N06S209ATMA2?
IPB80N06S209ATMA2 of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3. ICHOME is a long-term spot supplier of IPB80N06S209ATMA2, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of IPB80N06S209ATMA2?
Download IPB80N06S209ATMA2 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingIPB80N06S209ATMA2 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide IPB80N06S209ATMA2 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you IPB80N06S209ATMA2 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IPB05N03LA
IPB05N03LA
$0 $/кусок
PJC138L_R1_00001
TK58A06N1,S4X
SI4396DY-T1-GE3
SI4396DY-T1-GE3
$0 $/кусок
IRFP440PBF
IRFP440PBF
$0 $/кусок
FCP600N60Z
FCP600N60Z
$0 $/кусок
UPA2751GR-E1-A
FDB150N10
FDB150N10
$0 $/кусок
STP4N52K3
STP4N52K3
$0 $/кусок
NVMFS6H800NLWFT1G
NVMFS6H800NLWFT1G
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.