Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3

IPD65R190C7ATMA1 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

IPD65R190C7ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $1.38862 -
5,000 $1.33719 -
Inventory changes frequently.

IPD65R190C7ATMA1 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 13A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 190mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 290µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 23 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1150 pF @ 400 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 72W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO252-3
упаковка / кейс TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Q1: What is the purchase guide for IPD65R190C7ATMA1?
IPD65R190C7ATMA1 of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3. ICHOME is a long-term spot supplier of IPD65R190C7ATMA1, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of IPD65R190C7ATMA1?
Download IPD65R190C7ATMA1 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingIPD65R190C7ATMA1 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide IPD65R190C7ATMA1 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you IPD65R190C7ATMA1 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FDD306P
FDD306P
$0 $/кусок
FQI5N50CTU
FQI5N50CTU
$0 $/кусок
IXTA60N10T
IXTA60N10T
$0 $/кусок
IXTX4N300P3HV
IXTX4N300P3HV
$0 $/кусок
IPI075N15N3GXKSA1
STF8N60DM2
STF8N60DM2
$0 $/кусок
HUF76145S3S
HUF76145S3S
$0 $/кусок
STD4NK60ZT4
STD4NK60ZT4
$0 $/кусок
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
IRF1310NPBF
IRF1310NPBF
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.