Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

IPD80R1K4CEATMA1 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

IPD80R1K4CEATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.54994 -
5,000 $0.52244 -
12,500 $0.50280 -
Inventory changes frequently.

IPD80R1K4CEATMA1 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 800 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 3.9A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.9V @ 240µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 23 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 570 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 63W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO252-3
упаковка / кейс TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Q1: What is the purchase guide for IPD80R1K4CEATMA1?
IPD80R1K4CEATMA1 of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3. ICHOME is a long-term spot supplier of IPD80R1K4CEATMA1, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of IPD80R1K4CEATMA1?
Download IPD80R1K4CEATMA1 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingIPD80R1K4CEATMA1 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide IPD80R1K4CEATMA1 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you IPD80R1K4CEATMA1 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

NTMFS4H02NFT3G
NTMFS4H02NFT3G
$0 $/кусок
IPI147N12N3GAKSA1
HCT7000MTX
IRFZ10PBF
IRFZ10PBF
$0 $/кусок
FDP6676
FDP6676
$0 $/кусок
IPB180P04P4L02ATMA1
PMV27UPER
PMV27UPER
$0 $/кусок
TN0104N3-G-P003
STW15NM60ND
STW15NM60ND
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.