Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

IPD80R2K8CEATMA1 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

IPD80R2K8CEATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.47160 -
5,000 $0.45061 -
12,500 $0.43562 -
25,000 $0.43343 -
Inventory changes frequently.

IPD80R2K8CEATMA1 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 800 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 1.9A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.9V @ 120µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 12 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 290 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 42W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO252-3
упаковка / кейс TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Q1: What is the purchase guide for IPD80R2K8CEATMA1?
IPD80R2K8CEATMA1 of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3. ICHOME is a long-term spot supplier of IPD80R2K8CEATMA1, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of IPD80R2K8CEATMA1?
Download IPD80R2K8CEATMA1 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingIPD80R2K8CEATMA1 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide IPD80R2K8CEATMA1 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you IPD80R2K8CEATMA1 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RM120N40T2
RM120N40T2
$0 $/кусок
IRF2805PBF
IRF2805PBF
$0 $/кусок
AUIRFSL6535
AUIRFSL6535
$0 $/кусок
IPP80N04S2L03AKSA1
SQJ422EP-T1_BE3
SQJ422EP-T1_BE3
$0 $/кусок
SI4435DYTRPBF
SI4435DYTRPBF
$0 $/кусок
TSM280NB06LCR RLG
IPW60R190P6FKSA1
DKI04103
DKI04103
$0 $/кусок
SIHG24N65E-E3
SIHG24N65E-E3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.