Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPL65R650C6SATMA1

IPL65R650C6SATMA1

IPL65R650C6SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK

IPL65R650C6SATMA1 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

IPL65R650C6SATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
5,000 $0.71307 -
Inventory changes frequently.

IPL65R650C6SATMA1 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

IPL65R650C6SATMA1 Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Not For New Designs
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 6.7A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3.5V @ 210µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 21 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 440 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 56.8W (Tc)
рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TSON-8-2
упаковка / кейс 8-PowerTDFN
Q1: What is the purchase guide for IPL65R650C6SATMA1?
IPL65R650C6SATMA1 of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK. ICHOME is a long-term spot supplier of IPL65R650C6SATMA1, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of IPL65R650C6SATMA1?
Download IPL65R650C6SATMA1 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingIPL65R650C6SATMA1 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide IPL65R650C6SATMA1 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you IPL65R650C6SATMA1 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SI2301BDS-T1-GE3
SI2301BDS-T1-GE3
$0 $/кусок
PHB110NQ08T,118
PHB110NQ08T,118
$0 $/кусок
FSS145-TL-E
FSS145-TL-E
$0 $/кусок
NTB75N03RT4
NTB75N03RT4
$0 $/кусок
SIHJ240N60E-T1-GE3
SIHJ240N60E-T1-GE3
$0 $/кусок
IRF353
IRF353
$0 $/кусок
FCPF7N60NT
FCPF7N60NT
$0 $/кусок
SI2318DS-T1-GE3
SI2318DS-T1-GE3
$0 $/кусок
HUF76121P3
HUF76121P3
$0 $/кусок
TSM5NC50CP ROG

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.