Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPP65R110CFDAAKSA1

IPP65R110CFDAAKSA1

IPP65R110CFDAAKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3

IPP65R110CFDAAKSA1 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

IPP65R110CFDAAKSA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $7.69000 $7.69
10 $6.86700 $68.67
100 $5.63100 $563.1
500 $4.55970 $2279.85
1,000 $3.84553 -
Inventory changes frequently.

IPP65R110CFDAAKSA1 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

IPP65R110CFDAAKSA1 Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 31.2A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4.5V @ 1.3mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 118 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3240 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 277.8W (Tc)
рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика PG-TO220-3
упаковка / кейс TO-220-3
Q1: What is the purchase guide for IPP65R110CFDAAKSA1?
IPP65R110CFDAAKSA1 of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3. ICHOME is a long-term spot supplier of IPP65R110CFDAAKSA1, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of IPP65R110CFDAAKSA1?
Download IPP65R110CFDAAKSA1 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingIPP65R110CFDAAKSA1 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide IPP65R110CFDAAKSA1 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you IPP65R110CFDAAKSA1 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

AUIRF1324
AUIRF1324
$0 $/кусок
BUK6240-75C,118
BUK6240-75C,118
$0 $/кусок
FQI5N30TU
FQI5N30TU
$0 $/кусок
STI40N65M2
STI40N65M2
$0 $/кусок
BUK763R8-80E,118
BUK763R8-80E,118
$0 $/кусок
2SJ254
2SJ254
$0 $/кусок
SD213DE TO-72 4L
TSM950N10CW RPG
IPI024N06N3GXKSA1
APTC60DAM18CTG
APTC60DAM18CTG
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.