Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPT039N15N5ATMA1

IPT039N15N5ATMA1

IPT039N15N5ATMA1

Infineon Technologies

OPTIMOS 5 POWER MOSFET

IPT039N15N5ATMA1 Техническая спецификация

compliant

IPT039N15N5ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $8.40000 $8.4
500 $8.316 $4158
1000 $8.232 $8232
1500 $8.148 $12222
2000 $8.064 $16128
2500 $7.98 $19950
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 150 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 21A (Ta), 190A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 8V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4.6V @ 257µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 98 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 7700 pF @ 75 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 319W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-HSOF-8
упаковка / кейс 8-PowerSFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IPB80N07S405ATMA1
DMG1013TQ-7
DMG1013TQ-7
$0 $/кусок
2SJ329(05)-S5-AZ
2SJ325-Z-E1-AY
IRL40S212ARMA1
MCP75N10Y-BP
MCP75N10Y-BP
$0 $/кусок
FS30KMJ-06F#B00
2SK3814-Z-E1-AZ
SIA430DJT-T4-GE3
SIA430DJT-T4-GE3
$0 $/кусок
IPB70N12S311ATMA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.