Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IXTA08N100D2HV-TRL

IXTA08N100D2HV-TRL

IXTA08N100D2HV-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV

IXTA08N100D2HV-TRL Техническая спецификация

compliant

IXTA08N100D2HV-TRL Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $2.28689 $2.28689
500 $2.2640211 $1132.01055
1000 $2.2411522 $2241.1522
1500 $2.2182833 $3327.42495
2000 $2.1954144 $4390.8288
2500 $2.1725455 $5431.36375
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 1000 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 800mA (Tj)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 0V
rds на (макс) @ id, vgs 21Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 25µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 14.6 nC @ 5 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 325 pF @ 25 V
особенность fet Depletion Mode
рассеиваемая мощность (макс.) 60W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика TO-263HV
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SIHG24N80AEF-GE3
SIHG24N80AEF-GE3
$0 $/кусок
SIHG180N60E-GE3
SIHG180N60E-GE3
$0 $/кусок
IRFD9120
IRFD9120
$0 $/кусок
IPSA70R1K2P7SAKMA1
AOT5N50
SIRA88DP-T1-GE3
SIRA88DP-T1-GE3
$0 $/кусок
5LP01S-TL-E
5LP01S-TL-E
$0 $/кусок
IPB240N04S41R0ATMA1
MMSF7N03ZR2
MMSF7N03ZR2
$0 $/кусок
SSM3K361R,LXHF

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.