Welcome to ichome.com!

logo
Дом

NTMYS4D1N06CLTWG

NTMYS4D1N06CLTWG

NTMYS4D1N06CLTWG

onsemi

MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4

NTMYS4D1N06CLTWG Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

NTMYS4D1N06CLTWG Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $2.68695 $2.68695
500 $2.6600805 $1330.04025
1000 $2.633211 $2633.211
1500 $2.6063415 $3909.51225
2000 $2.579472 $5158.944
2500 $2.5526025 $6381.50625
Inventory changes frequently.

NTMYS4D1N06CLTWG Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

NTMYS4D1N06CLTWG onsemi

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 22A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2V @ 80µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 34 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2200 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 79W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика LFPAK4 (5x6)
упаковка / кейс SOT-1023, 4-LFPAK
Q1: What is the purchase guide for NTMYS4D1N06CLTWG?
NTMYS4D1N06CLTWG of onsemi is a MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4. ICHOME is a long-term spot supplier of NTMYS4D1N06CLTWG, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of NTMYS4D1N06CLTWG?
Download NTMYS4D1N06CLTWG Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingNTMYS4D1N06CLTWG from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide NTMYS4D1N06CLTWG alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you NTMYS4D1N06CLTWG replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SPP80N06S08AKSA1
BSZ031NE2LS5ATMA1
SQ4080EY-T1_GE3
SQ4080EY-T1_GE3
$0 $/кусок
FDD8445
FDD8445
$0 $/кусок
FCMT299N60
FCMT299N60
$0 $/кусок
FCH130N60
FCH130N60
$0 $/кусок
STFI24N60M2
STFI24N60M2
$0 $/кусок
APT20M20LFLLG
APT20M20LFLLG
$0 $/кусок
NTMYS011N04CTWG
NTMYS011N04CTWG
$0 $/кусок
IRF6794MTR1PBF

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.