Welcome to ichome.com!
| Имя | Ценить |
|---|---|
| статус продукта | Obsolete |
| тип fet | N-Channel |
| технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Напряжение сток-исток (vdss) | 650 V |
| ток - непрерывный сток (id) при 25°c | 29A (Tc) |
| напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) | 18V |
| rds на (макс) @ id, vgs | 156mOhm @ 10A, 18V |
| vgs(th) (макс) @ id | 4V @ 3.3mA |
| заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs | 61 nC @ 18 V |
| вгс (макс) | +22V, -6V |
| входная емкость (ciss) (макс.) @ vds | 1200 pF @ 500 V |
| особенность fet | - |
| рассеиваемая мощность (макс.) | 165W (Tc) |
| рабочая температура | 175°C (TJ) |
| тип крепления | Through Hole |
| пакет устройства поставщика | TO-220AB |
| упаковка / кейс | TO-220-3 |
Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.