Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK6A53D(STA4,Q,M)

TK6A53D(STA4,Q,M)

TK6A53D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS

TK6A53D(STA4,Q,M) Техническая спецификация

compliant

TK6A53D(STA4,Q,M) Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
50 $1.20960 $60.48
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 525 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 6A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.3Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4.4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 12 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 600 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 35W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220SIS
упаковка / кейс TO-220-3 Full Pack
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IPP139N08N3GXKSA1
DMN30H4D1S-7
DMN30H4D1S-7
$0 $/кусок
FQB7N65CTM
FQB7N65CTM
$0 $/кусок
BSF134N10NJ3GXUMA1
AOT360A70L
RJK1028DSP-00#J5
IPI50R399CPXKSA2
BSZ086P03NS3EGATMA1
IPP60R199CPXKSA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.