Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TPH4R50ANH1,LQ

TPH4R50ANH1,LQ

TPH4R50ANH1,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)

TPH4R50ANH1,LQ Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

TPH4R50ANH1,LQ Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.72000 $1.72
500 $1.7028 $851.4
1000 $1.6856 $1685.6
1500 $1.6684 $2502.6
2000 $1.6512 $3302.4
2500 $1.634 $4085
Inventory changes frequently.

TPH4R50ANH1,LQ Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 92A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 4.5mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 58 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 5200 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 800mW (Ta)
рабочая температура 150°C
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-SOP Advance (5x5.75)
упаковка / кейс 8-PowerTDFN
Q1: What is the purchase guide for TPH4R50ANH1,LQ?
TPH4R50ANH1,LQ of Toshiba Semiconductor and Storage is a MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N). ICHOME is a long-term spot supplier of TPH4R50ANH1,LQ, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of TPH4R50ANH1,LQ?
Download TPH4R50ANH1,LQ Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingTPH4R50ANH1,LQ from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide TPH4R50ANH1,LQ alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you TPH4R50ANH1,LQ replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

AO3407A
DMN2065UWQ-7
DMN2065UWQ-7
$0 $/кусок
BSC070N10NS3GATMA1
STL12N60M6
STL12N60M6
$0 $/кусок
SI3410DV-T1-GE3
SI3410DV-T1-GE3
$0 $/кусок
SISS02DN-T1-GE3
SISS02DN-T1-GE3
$0 $/кусок
2SK4065-DL-1E
2SK4065-DL-1E
$0 $/кусок
AUIRLR120NTRL
AUIRLR120NTRL
$0 $/кусок
NVMYS021N06CLTWG
NVMYS021N06CLTWG
$0 $/кусок
IRF3805STRLPBF

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.