Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TPN2R903PL,L1Q

TPN2R903PL,L1Q

TPN2R903PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON

TPN2R903PL,L1Q Техническая спецификация

compliant

TPN2R903PL,L1Q Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.78000 $0.78
500 $0.7722 $386.1
1000 $0.7644 $764.4
1500 $0.7566 $1134.9
2000 $0.7488 $1497.6
2500 $0.741 $1852.5
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 70A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 2.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.1V @ 200µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 26 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2300 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 630mW (Ta), 75W (Tc)
рабочая температура 175°C
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-TSON Advance (3.1x3.1)
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IPW60R125CFD7XKSA1
PJQ5458A-AU_R2_000A1
PJQ4464AP-AU_R2_000A1
NTGS3130NT1G
NTGS3130NT1G
$0 $/кусок
NTLUS4C16NTAG
NTLUS4C16NTAG
$0 $/кусок
IPB110P06LMATMA1
SIHH11N65E-T1-GE3
SIHH11N65E-T1-GE3
$0 $/кусок
IRFH4210DTRPBF
IXFA4N100P-TRL
IXFA4N100P-TRL
$0 $/кусок
AON7430

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.