Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

TPN3300ANH,LQ Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

TPN3300ANH,LQ Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.34075 -
6,000 $0.32900 -
Inventory changes frequently.

TPN3300ANH,LQ Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 100 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 9.4A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 33mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 100µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 11 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 880 pF @ 50 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta), 27W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-TSON Advance (3.3x3.3)
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Q1: What is the purchase guide for TPN3300ANH,LQ?
TPN3300ANH,LQ of Toshiba Semiconductor and Storage is a MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON. ICHOME is a long-term spot supplier of TPN3300ANH,LQ, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of TPN3300ANH,LQ?
Download TPN3300ANH,LQ Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingTPN3300ANH,LQ from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide TPN3300ANH,LQ alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you TPN3300ANH,LQ replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

RQ3E150BNTB
RQ3E150BNTB
$0 $/кусок
STF15NM65N
STF15NM65N
$0 $/кусок
RM110N85T2
RM110N85T2
$0 $/кусок
IRLI610ATU
IRLI610ATU
$0 $/кусок
SQJ140ELP-T1_GE3
SQJ140ELP-T1_GE3
$0 $/кусок
BUK7M15-60EX
BUK7M15-60EX
$0 $/кусок
SIDR140DP-T1-GE3
SIDR140DP-T1-GE3
$0 $/кусок
SSM6J412TU,LF
IXTA6N100D2
IXTA6N100D2
$0 $/кусок
IPB60R055CFD7ATMA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.