Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TW048N65C,S1F

TW048N65C,S1F

TW048N65C,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH

TW048N65C,S1F Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

TW048N65C,S1F Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $17.09000 $17.09
500 $16.9191 $8459.55
1000 $16.7482 $16748.2
1500 $16.5773 $24865.95
2000 $16.4064 $32812.8
2500 $16.2355 $40588.75
180 items

TW048N65C,S1F Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

TW048N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 40A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 18V
rds на (макс) @ id, vgs 65mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (макс) @ id 5V @ 1.6mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 41 nC @ 18 V
вгс (макс) +25V, -10V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1362 pF @ 400 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 132W (Tc)
рабочая температура 175°C
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-247
упаковка / кейс TO-247-3
Q1: What is the purchase guide for TW048N65C,S1F?
TW048N65C,S1F of Toshiba Semiconductor and Storage is a G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH. ICHOME is a long-term spot supplier of TW048N65C,S1F, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of TW048N65C,S1F?
Download TW048N65C,S1F Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingTW048N65C,S1F from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide TW048N65C,S1F alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you TW048N65C,S1F replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FDP2614
FDP2614
$0 $/кусок
FQP13N10L
FQP13N10L
$0 $/кусок
IPP45N06S409AKSA1
BUK664R6-40C,118
BUK664R6-40C,118
$0 $/кусок
PSMN012-100YS,115
PSMN012-100YS,115
$0 $/кусок
2SJ387STL-E
IPW60R099CPAFKSA1
IPD60R1K5CEAUMA1
FDH5500
FDH5500
$0 $/кусок
P3M171K0G7

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.