Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3

SI2399DS-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SI2399DS-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
Inventory changes frequently.

SI2399DS-T1-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SI2399DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 6A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 2.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 34mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 20 nC @ 4.5 V
вгс (макс) ±12V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 835 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика SOT-23-3 (TO-236)
упаковка / кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Q1: What is the purchase guide for SI2399DS-T1-GE3?
SI2399DS-T1-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3. ICHOME is a long-term spot supplier of SI2399DS-T1-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SI2399DS-T1-GE3?
Download SI2399DS-T1-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSI2399DS-T1-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SI2399DS-T1-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SI2399DS-T1-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SQS411ENW-T1_GE3
SQS411ENW-T1_GE3
$0 $/кусок
HUF75339P3
HUF75339P3
$0 $/кусок
BUK9M14-40EX
BUK9M14-40EX
$0 $/кусок
SSM3J66MFV,L3F
DMT67M8LK3-13
DMT67M8LK3-13
$0 $/кусок
IXTA36P15P
IXTA36P15P
$0 $/кусок
RM50N60T2
RM50N60T2
$0 $/кусок
G3R160MT17D
G3R160MT17D
$0 $/кусок
PJL9436A1_R2_00001
BUK768R1-100E,118
BUK768R1-100E,118
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.