Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO

SI4162DY-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SI4162DY-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.40680 -
5,000 $0.38040 -
12,500 $0.36720 -
25,000 $0.36000 -
10000 items

SI4162DY-T1-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SI4162DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 19.3A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 7.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 30 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1155 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-SOIC
упаковка / кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Q1: What is the purchase guide for SI4162DY-T1-GE3?
SI4162DY-T1-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO. ICHOME is a long-term spot supplier of SI4162DY-T1-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SI4162DY-T1-GE3?
Download SI4162DY-T1-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSI4162DY-T1-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SI4162DY-T1-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SI4162DY-T1-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STB200N6F3
STB200N6F3
$0 $/кусок
SISH112DN-T1-GE3
SISH112DN-T1-GE3
$0 $/кусок
STW58N60DM2AG
STW58N60DM2AG
$0 $/кусок
AOB411L
IRFZ46ZSTRLPBF
FDMS86200DC
FDMS86200DC
$0 $/кусок
SPI12N50C3XKSA1
STF22N60DM6
STF22N60DM6
$0 $/кусок
NTMYS2D2N06CLTWG
NTMYS2D2N06CLTWG
$0 $/кусок
IPD85P04P4L06ATMA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.