Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI5402DC-T1-E3

SI5402DC-T1-E3

SI5402DC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

SI5402DC-T1-E3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SI5402DC-T1-E3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.

SI5402DC-T1-E3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SI5402DC-T1-E3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Obsolete
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 4.9A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 35mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 1V @ 250µA (Min)
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 20 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds -
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 1.3W (Ta)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 1206-8 ChipFET™
упаковка / кейс 8-SMD, Flat Lead
Q1: What is the purchase guide for SI5402DC-T1-E3?
SI5402DC-T1-E3 of Vishay Siliconix is a MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8. ICHOME is a long-term spot supplier of SI5402DC-T1-E3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SI5402DC-T1-E3?
Download SI5402DC-T1-E3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSI5402DC-T1-E3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SI5402DC-T1-E3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SI5402DC-T1-E3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SI3446ADV-T1-E3
SI3446ADV-T1-E3
$0 $/кусок
MTP2955V
MTP2955V
$0 $/кусок
STF3LN62K3
STF3LN62K3
$0 $/кусок
IXTC110N25T
IXTC110N25T
$0 $/кусок
IRF7457PBF
IRF7457PBF
$0 $/кусок
IRF7707TR
IRF7707TR
$0 $/кусок
2SJ438(AISIN,A,Q)
94-4796
94-4796
$0 $/кусок
IRFU214
IRFU214
$0 $/кусок
HUF76432P3
HUF76432P3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.