Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8

SI7107DN-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SI7107DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Obsolete
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 9.8A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 1.8V, 4.5V
rds на (макс) @ id, vgs 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 1V @ 450µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 44 nC @ 4.5 V
вгс (макс) ±8V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds -
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 1.5W (Ta)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

2SK303100L
IPD082N10N3GBTMA1
NTMFS4931NT1G
NTMFS4931NT1G
$0 $/кусок
R5021ANJTL
R5021ANJTL
$0 $/кусок
NVD5890NT4G-VF01
NVD5890NT4G-VF01
$0 $/кусок
IPU80R1K4CEAKMA1
SIR642DP-T1-GE3
SIR642DP-T1-GE3
$0 $/кусок
IRL3502S
IRL3502S
$0 $/кусок
IRLHS6342TR2PBF
FQPF27N25T
FQPF27N25T
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.