Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

SI7900AEDN-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SI7900AEDN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.55760 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet 2 N-Channel (Dual) Common Drain
особенность fet Logic Level Gate
Напряжение сток-исток (vdss) 20V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 6A
rds на (макс) @ id, vgs 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 900mV @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 16nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds -
мощность - макс. 1.5W
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8 Dual
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8 Dual
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

MSCSM70AM10CT3AG
BSG0813NDIATMA1
ALD114904SAL
FDME1024NZT
FDME1024NZT
$0 $/кусок
CSD87381PT
CSD87381PT
$0 $/кусок
DMN2710UDWQ-7
DMN2710UDWQ-7
$0 $/кусок
ALD1115PAL
DMG1016UDWQ-7
DMG1016UDWQ-7
$0 $/кусок
NTLJD2104PTBG
NTLJD2104PTBG
$0 $/кусок
AOC2804B

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.