Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

SIA449DJ-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SIA449DJ-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.18050 -
6,000 $0.16950 -
15,000 $0.15850 -
30,000 $0.15080 -
Inventory changes frequently.

SIA449DJ-T1-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SIA449DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 12A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 2.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 72 nC @ 10 V
вгс (макс) ±12V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2140 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SC-70-6
упаковка / кейс PowerPAK® SC-70-6
Q1: What is the purchase guide for SIA449DJ-T1-GE3?
SIA449DJ-T1-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6. ICHOME is a long-term spot supplier of SIA449DJ-T1-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SIA449DJ-T1-GE3?
Download SIA449DJ-T1-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSIA449DJ-T1-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SIA449DJ-T1-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SIA449DJ-T1-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SSM3K123TU,LF
APT47N60BC3G
APT47N60BC3G
$0 $/кусок
FQB50N06LTM
FQB50N06LTM
$0 $/кусок
IPI076N15N5AKSA1
APT50M75JFLL
APT50M75JFLL
$0 $/кусок
STD4N62K3
STD4N62K3
$0 $/кусок
RM12N650T2
RM12N650T2
$0 $/кусок
RQ6L035ATTCR
RQ6L035ATTCR
$0 $/кусок
FQB5N60CTM
FQB5N60CTM
$0 $/кусок
SISS63DN-T1-GE3
SISS63DN-T1-GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.