Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

SIA461DJ-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SIA461DJ-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.16245 -
6,000 $0.15255 -
15,000 $0.14265 -
30,000 $0.13572 -
75,000 $0.13500 -
Inventory changes frequently.

SIA461DJ-T1-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SIA461DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 12A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 1.8V, 4.5V
rds на (макс) @ id, vgs 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 45 nC @ 8 V
вгс (макс) ±8V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1300 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SC-70-6
упаковка / кейс PowerPAK® SC-70-6
Q1: What is the purchase guide for SIA461DJ-T1-GE3?
SIA461DJ-T1-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6. ICHOME is a long-term spot supplier of SIA461DJ-T1-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SIA461DJ-T1-GE3?
Download SIA461DJ-T1-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSIA461DJ-T1-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SIA461DJ-T1-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SIA461DJ-T1-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STB45N65M5
STB45N65M5
$0 $/кусок
IRFIB5N65APBF
IRFIB5N65APBF
$0 $/кусок
APT50M65JLL
APT50M65JLL
$0 $/кусок
BUK7Y18-55B,115
BUK7Y18-55B,115
$0 $/кусок
BSS138-TP
BSS138-TP
$0 $/кусок
BUK9Y11-80EX
BUK9Y11-80EX
$0 $/кусок
NTD18N06-1G
NTD18N06-1G
$0 $/кусок
FDD4685
FDD4685
$0 $/кусок
IRFB3077PBF
IRFB3077PBF
$0 $/кусок
STL16N60M2
STL16N60M2
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.