Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIE810DF-T1-E3

SIE810DF-T1-E3

SIE810DF-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK

SIE810DF-T1-E3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SIE810DF-T1-E3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $1.93812 -
Inventory changes frequently.

SIE810DF-T1-E3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SIE810DF-T1-E3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 60A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 2.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 300 nC @ 10 V
вгс (макс) ±12V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 13000 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 10-PolarPAK® (L)
упаковка / кейс 10-PolarPAK® (L)
Q1: What is the purchase guide for SIE810DF-T1-E3?
SIE810DF-T1-E3 of Vishay Siliconix is a MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK. ICHOME is a long-term spot supplier of SIE810DF-T1-E3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SIE810DF-T1-E3?
Download SIE810DF-T1-E3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSIE810DF-T1-E3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SIE810DF-T1-E3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SIE810DF-T1-E3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

TBB1012MMTL-E
IRFF221
IRFF221
$0 $/кусок
SI4164DY-T1-GE3
SI4164DY-T1-GE3
$0 $/кусок
TSM900N10CP ROG
FQU13N06LTU-WS
FQU13N06LTU-WS
$0 $/кусок
STL8N10LF3
STL8N10LF3
$0 $/кусок
SISS32DN-T1-GE3
SISS32DN-T1-GE3
$0 $/кусок
IPT60R022S7XTMA1
IRFP3306PBF
IRFP3306PBF
$0 $/кусок
CSD19538Q3AT
CSD19538Q3AT
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.