Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 21A TO263

SIHB22N60ET5-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SIHB22N60ET5-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
800 $2.44200 $1953.6
Inventory changes frequently.

SIHB22N60ET5-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SIHB22N60ET5-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 600 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 21A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 86 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1920 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 227W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика D²PAK (TO-263)
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Q1: What is the purchase guide for SIHB22N60ET5-GE3?
SIHB22N60ET5-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET N-CH 600V 21A TO263. ICHOME is a long-term spot supplier of SIHB22N60ET5-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SIHB22N60ET5-GE3?
Download SIHB22N60ET5-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSIHB22N60ET5-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SIHB22N60ET5-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SIHB22N60ET5-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IRFR3411TRPBF
IRFR3411TRPBF
$0 $/кусок
IPZ60R070P6FKSA1
ATP201-TL-H
ATP201-TL-H
$0 $/кусок
NDD60N745U1T4G
NDD60N745U1T4G
$0 $/кусок
IPN80R1K2P7ATMA1
IXFT50N50P3
IXFT50N50P3
$0 $/кусок
IRFHS9301TRPBF
IPB50N10S3L16ATMA1
NVMFS5C404NLWFAFT1G
NVMFS5C404NLWFAFT1G
$0 $/кусок
STH130N8F7-2
STH130N8F7-2
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.