Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 24A TO263

SIHB24N65ET1-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SIHB24N65ET1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
800 $3.72750 $2982
Inventory changes frequently.

SIHB24N65ET1-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SIHB24N65ET1-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 24A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 122 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2740 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика D²PAK (TO-263)
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Q1: What is the purchase guide for SIHB24N65ET1-GE3?
SIHB24N65ET1-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET N-CH 650V 24A TO263. ICHOME is a long-term spot supplier of SIHB24N65ET1-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SIHB24N65ET1-GE3?
Download SIHB24N65ET1-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSIHB24N65ET1-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SIHB24N65ET1-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SIHB24N65ET1-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FDS4435A
FDS4435A
$0 $/кусок
SIHP25N60EFL-BE3
SIHP25N60EFL-BE3
$0 $/кусок
DMN2011UFDF-7
DMN2011UFDF-7
$0 $/кусок
R6008FNJTL
R6008FNJTL
$0 $/кусок
FDD6780A
FDD6780A
$0 $/кусок
SQP120N10-09_GE3
SQP120N10-09_GE3
$0 $/кусок
SQS140ENW-T1_GE3
SQS140ENW-T1_GE3
$0 $/кусок
FK8V03050L
SQA410EJ-T1_GE3
SQA410EJ-T1_GE3
$0 $/кусок
AOWF600A60

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.