Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIHH21N65E-T1-GE3

SIHH21N65E-T1-GE3

SIHH21N65E-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8

SIHH21N65E-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SIHH21N65E-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $3.47463 -
Inventory changes frequently.

SIHH21N65E-T1-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SIHH21N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 20.3A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 170mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 99 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2404 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 156W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 8 x 8
упаковка / кейс 8-PowerTDFN
Q1: What is the purchase guide for SIHH21N65E-T1-GE3?
SIHH21N65E-T1-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8. ICHOME is a long-term spot supplier of SIHH21N65E-T1-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SIHH21N65E-T1-GE3?
Download SIHH21N65E-T1-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSIHH21N65E-T1-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SIHH21N65E-T1-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SIHH21N65E-T1-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

BSS126H6327XTSA2
SI4490DY-T1-E3
SI4490DY-T1-E3
$0 $/кусок
IXFX150N15
IXFX150N15
$0 $/кусок
CXDM3069N TR PBFREE
BUZ76
BUZ76
$0 $/кусок
STB3NK60ZT4
STB3NK60ZT4
$0 $/кусок
FDP054N10
FDP054N10
$0 $/кусок
IXFK180N15P
IXFK180N15P
$0 $/кусок
PMV19XNEAR
PMV19XNEAR
$0 $/кусок
CPH6414-TL-E
CPH6414-TL-E
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.