Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIHH24N65E-T1-GE3

SIHH24N65E-T1-GE3

SIHH24N65E-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

SIHH24N65E-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SIHH24N65E-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $3.89246 -
821 items

SIHH24N65E-T1-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SIHH24N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 23A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 150mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 116 nC @ 10 V
вгс (макс) ±30V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2814 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 202W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 8 x 8
упаковка / кейс 8-PowerTDFN
Q1: What is the purchase guide for SIHH24N65E-T1-GE3?
SIHH24N65E-T1-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8. ICHOME is a long-term spot supplier of SIHH24N65E-T1-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SIHH24N65E-T1-GE3?
Download SIHH24N65E-T1-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSIHH24N65E-T1-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SIHH24N65E-T1-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SIHH24N65E-T1-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FDS6299S
FDS6299S
$0 $/кусок
BSC014NE2LSIATMA1
BUK7M6R0-40HX
BUK7M6R0-40HX
$0 $/кусок
BSN20Q-7
BSN20Q-7
$0 $/кусок
FCP067N65S3
FCP067N65S3
$0 $/кусок
SQM50P06-15L_GE3
SQM50P06-15L_GE3
$0 $/кусок
CSD17313Q2Q1T
CSD17313Q2Q1T
$0 $/кусок
TSM220NB06LCR RLG
SQA600CEJW-T1_GE3
SQA600CEJW-T1_GE3
$0 $/кусок
TSM80N950CP ROG

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.