Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIR186LDP-T1-RE3

SIR186LDP-T1-RE3

SIR186LDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE

SIR186LDP-T1-RE3 Техническая спецификация

compliant

SIR186LDP-T1-RE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.05000 $1.05
500 $1.0395 $519.75
1000 $1.029 $1029
1500 $1.0185 $1527.75
2000 $1.008 $2016
2500 $0.9975 $2493.75
2560 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 4.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 48 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1980 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta), 57W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

PJQ5445_R2_00001
SI4425BDY-T1-GE3
SI4425BDY-T1-GE3
$0 $/кусок
RQ5C035BCTCL
RQ5C035BCTCL
$0 $/кусок
SIS476DN-T1-GE3
SIS476DN-T1-GE3
$0 $/кусок
DMN53D0U-7
DMN53D0U-7
$0 $/кусок
IPD30N10S3L34ATMA1
IPP60R099C7XKSA1
SSM3J64CTC,L3F
SQJ174EP-T1_GE3
SQJ174EP-T1_GE3
$0 $/кусок
2SK3700(F)

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.