Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8

SIR618DP-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SIR618DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.54694 -
6,000 $0.52126 -
15,000 $0.50292 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 200 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 14.2A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 95mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 16 nC @ 7.5 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 740 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 48W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FDD8453LZ-F085
IXTY18P10T
IXTY18P10T
$0 $/кусок
IPW60R160C6FKSA1
TSM126CX RFG
IPI030N10N3GXKSA1
IXFZ140N25T
IXFZ140N25T
$0 $/кусок
NVTYS004N04CTWG
NVTYS004N04CTWG
$0 $/кусок
APT40N60JCU3
APT40N60JCU3
$0 $/кусок
IXTQ180N10T
IXTQ180N10T
$0 $/кусок
TP2540N3-G
TP2540N3-G
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.