Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

SIR624DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8

SIR624DP-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SIR624DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.56908 -
6,000 $0.54236 -
15,000 $0.52328 -
Inventory changes frequently.

SIR624DP-T1-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SIR624DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 200 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 18.6A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 60mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 23 nC @ 7.5 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1110 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 52W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Q1: What is the purchase guide for SIR624DP-T1-GE3?
SIR624DP-T1-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8. ICHOME is a long-term spot supplier of SIR624DP-T1-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SIR624DP-T1-GE3?
Download SIR624DP-T1-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSIR624DP-T1-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SIR624DP-T1-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SIR624DP-T1-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FQI8N60CTU
FQI8N60CTU
$0 $/кусок
IXTQ96N25T
IXTQ96N25T
$0 $/кусок
PJP60R290E_T0_00001
STP42N65M5
STP42N65M5
$0 $/кусок
2SK937Y5
2SK937Y5
$0 $/кусок
NTBGS3D5N06C
NTBGS3D5N06C
$0 $/кусок
IXTH13N80
IXTH13N80
$0 $/кусок
STP24NF10
STP24NF10
$0 $/кусок
IPW60R037P7XKSA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.