Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

SIRA06DP-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SIRA06DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.55760 -
6,000 $0.53142 -
15,000 $0.51272 -
67 items

SIRA06DP-T1-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 40A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 2.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 77 nC @ 10 V
вгс (макс) +20V, -16V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3595 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Q1: What is the purchase guide for SIRA06DP-T1-GE3?
SIRA06DP-T1-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8. ICHOME is a long-term spot supplier of SIRA06DP-T1-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SIRA06DP-T1-GE3?
Download SIRA06DP-T1-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSIRA06DP-T1-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SIRA06DP-T1-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SIRA06DP-T1-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

R6025JNXC7G
R6025JNXC7G
$0 $/кусок
SI1467DH-T1-E3
SI1467DH-T1-E3
$0 $/кусок
IRFB4227PBF
IRFB4227PBF
$0 $/кусок
STS5NF60L
STS5NF60L
$0 $/кусок
SQ9407EY-T1_GE3
SQ9407EY-T1_GE3
$0 $/кусок
SPP12N50C3
SPP12N50C3
$0 $/кусок
AOWF8N50
TBB1010KMTL-E
SIHG73N60E-GE3
SIHG73N60E-GE3
$0 $/кусок
NTMFS4835NT3G
NTMFS4835NT3G
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.