Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8

SIS407DN-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SIS407DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.47560 -
6,000 $0.45327 -
15,000 $0.43732 -
4372 items

SIS407DN-T1-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SIS407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 25A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 1.8V, 4.5V
rds на (макс) @ id, vgs 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 93.8 nC @ 8 V
вгс (макс) ±8V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2760 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.6W (Ta), 33W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8
Q1: What is the purchase guide for SIS407DN-T1-GE3?
SIS407DN-T1-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8. ICHOME is a long-term spot supplier of SIS407DN-T1-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SIS407DN-T1-GE3?
Download SIS407DN-T1-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSIS407DN-T1-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SIS407DN-T1-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SIS407DN-T1-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SIRA52ADP-T1-RE3
SIRA52ADP-T1-RE3
$0 $/кусок
IRFD113PBF
IRFD113PBF
$0 $/кусок
AOT2142L
IRFZ48RPBF
IRFZ48RPBF
$0 $/кусок
RJU003N03FRAT106
RJU003N03FRAT106
$0 $/кусок
TSM4N90CZ C0G
TSM10NC65CF C0G
IXFP26N30X3
IXFP26N30X3
$0 $/кусок
SIA447DJ-T1-GE3
SIA447DJ-T1-GE3
$0 $/кусок
PMV100EPAR
PMV100EPAR
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.