Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISH110DN-T1-GE3

SISH110DN-T1-GE3

SISH110DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK

SISH110DN-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SISH110DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.73800 -
6,000 $0.70335 -
15,000 $0.67860 -
Inventory changes frequently.

SISH110DN-T1-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 20 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 13.5A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds -
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 1.5W (Ta)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8SH
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8SH
Q1: What is the purchase guide for SISH110DN-T1-GE3?
SISH110DN-T1-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK. ICHOME is a long-term spot supplier of SISH110DN-T1-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SISH110DN-T1-GE3?
Download SISH110DN-T1-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSISH110DN-T1-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SISH110DN-T1-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SISH110DN-T1-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IRLP3034PBF
IRLP3034PBF
$0 $/кусок
MCH3377-TL-E
MCH3377-TL-E
$0 $/кусок
NTE2922
NTE2922
$0 $/кусок
FDA69N25
FDA69N25
$0 $/кусок
DMG2305UXQ-7
DMG2305UXQ-7
$0 $/кусок
IXTH62N65X2
IXTH62N65X2
$0 $/кусок
RUL035N02TR
RUL035N02TR
$0 $/кусок
FQE10N20CTU
FQE10N20CTU
$0 $/кусок
IRLL014TRPBF
IRLL014TRPBF
$0 $/кусок
PMF780SN,115
PMF780SN,115
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.