Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISS10ADN-T1-GE3

SISS10ADN-T1-GE3

SISS10ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK

SISS10ADN-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SISS10ADN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.28171 -
6,000 $0.26343 -
15,000 $0.25429 -
30,000 $0.24930 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 40 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 31.7A (Ta), 109A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 61 nC @ 10 V
вгс (макс) +20V, -16V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3030 pF @ 20 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8S
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8S
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STB24N60M6
STB24N60M6
$0 $/кусок
DMTH4007SK3-13
DMTH4007SK3-13
$0 $/кусок
EPC2067
EPC2067
$0 $/кусок
IXTA3N100P-TRL
IXTA3N100P-TRL
$0 $/кусок
IRLZ44NSTRLPBF
RU1C001ZPTL
RU1C001ZPTL
$0 $/кусок
SPB04N50C3
SPB04N50C3
$0 $/кусок
R6030ENZ4C13
R6030ENZ4C13
$0 $/кусок
BSC060N10NS3GATMA1
BUK6D56-60EX
BUK6D56-60EX
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.