Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISS5710DN-T1-GE3

SISS5710DN-T1-GE3

SISS5710DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

SISS5710DN-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SISS5710DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.79000 $1.79
500 $1.7721 $886.05
1000 $1.7542 $1754.2
1500 $1.7363 $2604.45
2000 $1.7184 $3436.8
2500 $1.7005 $4251.25
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 150 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 7.2A (Ta), 26.2A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 7.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 31.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 15 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 770 pF @ 75 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 4.1W (Ta), 54.3W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8S
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8S
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IMW65R048M1HXKSA1
STW35N65DM2
STW35N65DM2
$0 $/кусок
APT1204R7BFLLG
APT1204R7BFLLG
$0 $/кусок
BSZ0902NSATMA1
IPA060N06NXKSA1
PJL9402_R2_00001
FDMS86310
FDMS86310
$0 $/кусок
PMV20XNEAR
PMV20XNEAR
$0 $/кусок
SIE882DF-T1-GE3
SIE882DF-T1-GE3
$0 $/кусок
SQJQ480E-T1_GE3
SQJQ480E-T1_GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.