Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SQJ401EP-T2_GE3

SQJ401EP-T2_GE3

SQJ401EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8

SQJ401EP-T2_GE3 Техническая спецификация

compliant

SQJ401EP-T2_GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.08900 $1.089
500 $1.07811 $539.055
1000 $1.06722 $1067.22
1500 $1.05633 $1584.495
2000 $1.04544 $2090.88
2500 $1.03455 $2586.375
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 12 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 32A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 2.5V, 4.5V
rds на (макс) @ id, vgs 6mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 164 nC @ 4.5 V
вгс (макс) ±8V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 10015 pF @ 6 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 83W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

FCP21N60N
FCP21N60N
$0 $/кусок
IPC30S2SN08NX2MA1
AONR62921
NVMFS3D0P04M8LT1G
NVMFS3D0P04M8LT1G
$0 $/кусок
2SK3576-T1B-AT
IRF647
IRF647
$0 $/кусок
SIA430DJT-T1-GE3
SIA430DJT-T1-GE3
$0 $/кусок
G7P03S
G7P03S
$0 $/кусок
DMT10H9M9LSS-13
DMT10H9M9LSS-13
$0 $/кусок
2SK1313S-E

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.