Welcome to ichome.com!

logo
Дом

G2R1000MT17J

G2R1000MT17J

G2R1000MT17J

GeneSiC Semiconductor

SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

G2R1000MT17J Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

G2R1000MT17J Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $6.82000 $6.82
500 $6.7518 $3375.9
1000 $6.6836 $6683.6
1500 $6.6154 $9923.1
2000 $6.5472 $13094.4
2500 $6.479 $16197.5
18000 items

G2R1000MT17J Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток (vdss) 1700 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 3A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 20V
rds на (макс) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 2mA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs -
вгс (макс) +20V, -10V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 139 pF @ 1000 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 54W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика TO-263-7
упаковка / кейс TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Q1: What is the purchase guide for G2R1000MT17J?
G2R1000MT17J of GeneSiC Semiconductor is a SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7. ICHOME is a long-term spot supplier of G2R1000MT17J, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of G2R1000MT17J?
Download G2R1000MT17J Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingG2R1000MT17J from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide G2R1000MT17J alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you G2R1000MT17J replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SSM6P16FE(TE85L,F)
IPB090N06N3GATMA1
IPB65R110CFDAATMA1
FQI4N90TU
FQI4N90TU
$0 $/кусок
SI4134DY-T1-GE3
SI4134DY-T1-GE3
$0 $/кусок
STP9NK70ZFP
STP9NK70ZFP
$0 $/кусок
FDB33N25TM
FDB33N25TM
$0 $/кусок
SIHD1K4N60E-GE3
SIHD1K4N60E-GE3
$0 $/кусок
R8002ANJFRGTL
R8002ANJFRGTL
$0 $/кусок
APT19M120J
APT19M120J
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.