Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPD30N06S4L23ATMA1

IPD30N06S4L23ATMA1

IPD30N06S4L23ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

IPD30N06S4L23ATMA1 Техническая спецификация

compliant

IPD30N06S4L23ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.25665 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Discontinued at Digi-Key
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 30A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 23mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.2V @ 10µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 21 nC @ 10 V
вгс (макс) ±16V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1560 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 36W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO252-3-11
упаковка / кейс TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

TSM85N10CZ C0G
BSS192PE6327
BSS192PE6327
$0 $/кусок
NVD5867NLT4G-TB01
NVD5867NLT4G-TB01
$0 $/кусок
SI5461EDC-T1-E3
SI5461EDC-T1-E3
$0 $/кусок
IPS031N03L G
IPS031N03L G
$0 $/кусок
SI8417DB-T2-E1
SI8417DB-T2-E1
$0 $/кусок
FQB9N50CFTM_WS
FQB9N50CFTM_WS
$0 $/кусок
SI5856DC-T1-E3
SI5856DC-T1-E3
$0 $/кусок
IRF3707ZCS
IRF3707ZCS
$0 $/кусок
BSS192PL6327HTSA1

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.