Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPD50N06S4L08ATMA1

IPD50N06S4L08ATMA1

IPD50N06S4L08ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

IPD50N06S4L08ATMA1 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

IPD50N06S4L08ATMA1 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
2,500 $0.35888 -
Inventory changes frequently.

IPD50N06S4L08ATMA1 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

IPD50N06S4L08ATMA1 Infineon Technologies

Имя Ценить
статус продукта Discontinued at Digi-Key
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 50A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 7.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.2V @ 35µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 64 nC @ 10 V
вгс (макс) ±16V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 4780 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 71W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO252-3-11
упаковка / кейс TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Q1: What is the purchase guide for IPD50N06S4L08ATMA1?
IPD50N06S4L08ATMA1 of Infineon Technologies is a MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3. ICHOME is a long-term spot supplier of IPD50N06S4L08ATMA1, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of IPD50N06S4L08ATMA1?
Download IPD50N06S4L08ATMA1 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingIPD50N06S4L08ATMA1 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide IPD50N06S4L08ATMA1 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you IPD50N06S4L08ATMA1 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SI3460DV-T1-GE3
SI3460DV-T1-GE3
$0 $/кусок
STF5NK52ZD
STF5NK52ZD
$0 $/кусок
BSB012N03LX3 G
IRF1010ZLPBF
IRF1010ZLPBF
$0 $/кусок
IRFIBE20G
IRFIBE20G
$0 $/кусок
IRFU9120N
IRFU9120N
$0 $/кусок
SI7156DP-T1-GE3
SI7156DP-T1-GE3
$0 $/кусок
PSMN070-200P,127-NXP
PSMN070-200P,127-NXP
$0 $/кусок
STD65NF06
STD65NF06
$0 $/кусок
SPB21N10
SPB21N10
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.